反応性末端基Si-Hを利用した剛直性ポリシランによる金属 : 半導体高分子構造のワンポット作製

反応性末端基Si-Hを利用した剛直性ポリシランによる金属 : 半導体高分子構造のワンポット作製

ハンノウセイ マッタンキ Si-H オ リヨウシタ ゴウチョクセイ ポリシラン ニヨル キンゾク : ハンドウタイ コウブンシ コウゾウ ノ ワンポット サクセイ

久保田智文

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R004048

2

  • [MS]2006(5)

禁帯出

詳細情報

刊年

2006

別書名

One-pot fabrication of Metal-Semiconducting polymer junction based on rod-like polysilane with reactive Si-H termini

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月

注記

学位記番号: 修第3424号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0431026

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

久保田, 智文 (クボタ, トモフミ)

件名

polysilane

junction

wet process

gold

Si-H