テイオン プロセス ニオケル ナノ サイズ シリコン セイチョウ メカニズム ノ ケンキュウ
桐村浩哉
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3
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| No. | 刷年 | 所在 | 請求記号 | 資料ID | 貸出区分 | 状況 | 予約人数 |
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R004837 |
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2005
A Study of Nano-size Silicon Growth at Low Temperature
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年3月
学位記番号: 博第505号
報告番号: 甲第505号
授与年月日: 2005/03/24
学位の種類: 博士(理学)
学生番号: 0441005
日本語 (jpn)
日本語 (jpn)
桐村, 浩哉 (キリムラ, ヒロヤ)
