低温プロセスにおけるナノサイズシリコン成長メカニズムの研究

低温プロセスにおけるナノサイズシリコン成長メカニズムの研究

テイオン プロセス ニオケル ナノ サイズ シリコン セイチョウ メカニズム ノ ケンキュウ

桐村浩哉

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3

学位論文

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巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003628

2

  • [MS]2005

禁帯出

詳細情報

刊年

2005

別書名

A Study of Nano-size Silicon Growth at Low Temperature

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年3月

注記

学位記番号: 博第505号

報告番号: 甲第505号

授与年月日: 2005/03/24

学位の種類: 博士(理学)

学生番号: 0441005

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

桐村, 浩哉 (キリムラ, ヒロヤ)

件名

シリコン

低温

結晶核

結晶成長

プラズマ

フェリチンタンパク質