デンシセン ユウキ デンリュウホウ オ モチイタ 4H-SiC エピタキシャル セイチョウソウ ノ ヒョウカ
二谷聰
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3
1
R003494
2
禁帯出
2005
Characterization of 4H-SiC epilayer by Electron Beam Induced Current (EBIC) method
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2005年3月
学位記番号: 修第3120号
授与年月日: 2005/03/24
学生番号: 0331066
日本語 (jpn)
二谷, 聰 (ニタニ, サトシ)
SiC
EBIC
電子線誘起電流法
拡散長
欠陥
SiCEBIC電子線誘起電流法拡散長欠陥
