デンシセン ユウキ デンリュウホウ オ モチイタ 4H-SiC エピタキシャル セイチョウソウ ノ ヒョウカ
二谷聰
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R003494 |
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Restricted |
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2005
Characterization of 4H-SiC epilayer by Electron Beam Induced Current (EBIC) method
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2005年3月
学位記番号: 修第3120号
授与年月日: 2005/03/24
学生番号: 0331066
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
二谷, 聰 (ニタニ, サトシ)
