CWレーザー結晶化による低温単結晶SOI構造の形成と薄膜トランジスタ特性に関する研究, 要旨

CWレーザー結晶化による低温単結晶SOI構造の形成と薄膜トランジスタ特性に関する研究, 要旨

CW レーザー ケッショウ カ ニ ヨル テイオン タンケッショウ SOI コウゾウ ノ ケイセイ ト ハクマク トランジスタ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ

髙山智之

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2025.9

Thesis / Diss.

Volume No.

要旨
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R019790

Details

Publication year

2025

Alternative title

Study on Formation of Low-Temperature Single-Crystal SOI Structure by CW Laser Crystallization and Thin Film Transistor Characteristics

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2025年9月

Note

学位記番号: 2200

報告番号: 甲第2200号

学位授与年月日: 2025/09/30

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

髙山, 智之 (タカヤマ, サトシ)

Subject

薄膜トランジスタ

結晶成長

レーザー結晶化

低温ポリシリコン薄膜