Bilayer High-k Al2O3 and HfO2 Gate Insulator for High Performance a-IGZO Thin Film Transistor

Bilayer High-k Al2O3 and HfO2 Gate Insulator for High Performance a-IGZO Thin Film Transistor

Dian Budiarti Kastian

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.9

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R018594

詳細情報

刊年

2023

別書名

a-IGZO薄膜トランジスタの高性能化に向けた高誘電率Al2O3とHfO2の二層ゲート絶縁膜

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年9月

注記

学位記番号: 修第9354号

学位授与年月日: 2023/09/30

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Dian Budiarti Kastian

件名

Thin Film Transistor

Bilayer High-k gate insulator

Al2O3

HfO2

a-IGZO