Fermi level engineering of solution-processed amorphous ultra-wide bandgap semiconductor towards transparent thin-film transistors, 要旨

Fermi level engineering of solution-processed amorphous ultra-wide bandgap semiconductor towards transparent thin-film transistors, 要旨

Purnawati Diki

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2022.9

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R018082

詳細情報

刊年

2022

別書名

透明薄膜トランジスタに向けた溶液プロセスアモルファスウルトラワイドバンドギャップ半導体のフェルミ準位エンジニアリング

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2022年9月

注記

学位記番号: 博第1916号

報告番号: 甲第1916号

学位授与年月日: 2022/09/30

学位の種類: 博士(工学)

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Diki, Purnawati

件名

Ultra-wide bandgap material

Solution-processed

Thin-film transistor

Fermi level engineering