光電子ホログラフィーを用いたSi半導体の初期酸化原子配列および As、B共ドーパントの立体構造解析

光電子ホログラフィーを用いたSi半導体の初期酸化原子配列および As、B共ドーパントの立体構造解析

コウデンシ ホログラフィー オ モチイタ Si ハンドウタイ ノ ショキ サンカ ゲンシ ハイレツ オヨビ As B キョウドーパント ノ リッタイ コウゾウ カイセキ

竹内走一郎

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2022.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R017917

詳細情報

刊年

2022

別書名

Structural analysis of initial oxide atomic arrangement and As and B co-dopants in Si semiconductors using photoelectron holography.

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2022年3月

注記

学位記番号: 修第8961号

学位授与年月日: 2022/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

竹内, 走一郎 (タケウチ, ソウイチロウ)

件名

光電子ホログラフィー

Si半導体

初期酸化原子配列

ドーパント

ニューラルネットワーク

高精度立体構造解析