SiO 2 / GaN MOS コウゾウ ノ カイメン トクセイ ヒョウカ オヨビ コウアツ スイジョウキ ショリ ニヨル ケッカン ノ テイゲン
古川暢昭
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2021.03
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| No. | 刷年 | 所在 | 請求記号 | 資料ID | 貸出区分 | 状況 | 予約人数 |
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R016731 |
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2021
Interface properties of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structure and reduction of defects by high pressure water vapor annealing
奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2021年3月
学位記番号: 博第1784号
報告番号: 甲第1784号
学位授与年月日: 2021/03/31
学位の種類: 博士(工学)
日本語 (jpn)
日本語 (jpn)
古川, 暢昭 (フルカワ, マサアキ)
