ヨウエキ プロセス オ モチイタ ポリシロキサン パッシベーション ニ ヨル a - InGaZnO ハクマク トランジスタ ノ シンライセイ コウジョウ ト ソノ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
吉田尚史
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
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| No. | 刷年 | 所在 | 請求記号 | 資料ID | 貸出区分 | 状況 | 予約人数 |
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R015309 |
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2019
Poly-siloxane passivation for highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 博第1617号
報告番号: 甲第1617号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 博士(工学)
日本語 (jpn)
日本語 (jpn)
吉田, 尚史 (ヨシダ, ナオフミ)
