溶液プロセスを用いたポリシロキサンパッシベーションによるa-InGaZnO薄膜トランジスタの信頼性向上とその機構に関する研究, 要旨

溶液プロセスを用いたポリシロキサンパッシベーションによるa-InGaZnO薄膜トランジスタの信頼性向上とその機構に関する研究, 要旨

ヨウエキ プロセス オ モチイタ ポリシロキサン パッシベーション ニ ヨル a - InGaZnO ハクマク トランジスタ ノ シンライセイ コウジョウ ト ソノ キコウ ニ カンスル ケンキュウ

吉田尚史

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R015309

詳細情報

刊年

2019

別書名

Poly-siloxane passivation for highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月

注記

学位記番号: 博第1617号

報告番号: 甲第1617号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 博士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

吉田, 尚史 (ヨシダ, ナオフミ)

件名

Siloxane

Oxide TFT

Passivation

Photosensitive