ネツサンカマク オ モツ Si - MOS コウゾウ ヒョウメン カラ ノ ゲート デンアツ インカ ニ ヨル ガスダツリ
西田美緒
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
1
R015651
2
禁帯出
2019
Gate-voltage applied gas desorption from surfaces of MOS structures with thermal oxide layer
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7956号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(理学)
日本語 (jpn)
西田, 美緒 (ニシダ, ミオ)
表面物性
半導体
触媒
電子遷移誘起脱離
表面物性半導体触媒電子遷移誘起脱離
