SiO2 / GaN MOS キャパシタ ニ タイスル コウアツ スイジョウキ ショリ ノ ハンノウ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
安藤領汰
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
学位論文2019
Study on Reaction Mechanism of High Pressure Water Vapor Annealing for SiO2/GaN MOS Capacitor
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7892号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(工学)
日本語 (jpn)
日本語 (jpn)
安藤, 領汰 (アンドウ, リョウタ)
