液体原料シリコン系薄膜のレーザーアニールによる形成と結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用, 要旨

液体原料シリコン系薄膜のレーザーアニールによる形成と結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用, 要旨

エキタイ ゲンリョウ シリコンケイ ハクマク ノ レーザー アニール ニ ヨル ケイセイ ト ケッショウ シリコン ハクマク トランジスタ エノ オウヨウ

菱谷大輔

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R013720

詳細情報

刊年

2017

別書名

Formation of solution-derived Silicon Based Thin Film by Laser Annealing and Its Application to Crystalline Silicon Thin Film Transistors

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 博第1445号

報告番号: 甲第1445号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1441014

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

菱谷, 大輔 (ヒシタニ, ダイスケ)

件名

薄膜トランジスタ

レーザーアニール

結晶化

ゲート絶縁膜

シクロペンタシラン

ペルヒドロポリシラザン