ゲート電圧印加によるSi-MOS金属表面からの吸着ガスの脱離

ゲート電圧印加によるSi-MOS金属表面からの吸着ガスの脱離

ゲート デンアツ インカ ニ ヨル Si-MOS キンゾク ヒョウメン カラ ノ キュウチャクガス ノ ダツリ

川北修平

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R013527

2

  • [MS]2016(22)

禁帯出

詳細情報

刊年

2017

別書名

Molecule desorption induced by gate-voltage application in Si-MOS structure

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 修第7185号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1531020

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

川北, 修平 (カワキタ, シュウヘイ)

件名

Si-MOS