ゲート電圧印加時におけるへき開Si(111)-MOS断面のSTM/STS測定

ゲート電圧印加時におけるへき開Si(111)-MOS断面のSTM/STS測定

ゲート デンアツ インカジ ニ オケル ヘキカイ Si(111)-MOS ダンメン ノ STM/STS ソクテイ

大畑慧訓

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R013519

2

  • [MS]2016(20)

禁帯出

詳細情報

刊年

2017

別書名

STM/STS measurement of Si(111)-MOS cleavage surface during gate voltage application

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 修第7177号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1531012

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

大畑, 慧訓 (オオハタ, アキノリ)

件名

STM

STS

gate voltage

Si(111)

cleavage surface