次世代高機能集積回路の実現に向けたGaAs系MOSデバイスに関する研究, 要旨

次世代高機能集積回路の実現に向けたGaAs系MOSデバイスに関する研究, 要旨

ジセダイ コウキノウ シュウセキ カイロ ノ ジツゲン ニ ムケタ GaAsケイ Mos デバイス ニ カンスル ケンキュウ

青木健志

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.6

学位論文

この資料には他にも巻号があります。

他の巻号を見る

巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R012819

詳細情報

刊年

2016

別書名

GaAs-based Metal-Oxide-Semiconductor devices for next-generation high-performance integrated circuits

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年6月

注記

学位記番号: 博第1361号

報告番号: 甲第1361号

学位授与年月日: 2016/06/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1541001

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

青木, 健志 (アオキ, タケシ)

件名

III-V

MOS

GaAs

MOCVD

ALD

界面準位