Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors, 要旨

Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors, 要旨

岸本克史

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R012439

詳細情報

刊年

2016

別書名

高移動度・安定な薄膜トランジスタに向けた酸化タリウム・亜鉛・錫半導体の研究

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

注記

学位記番号: 博第1353号

報告番号: 甲第1353号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1441006

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

岸本, 克史 (キシモト, カツシ)

件名

Tl2O3

TlZnSnO

oxide semiconductor

mobility

thin-film transistor

sputter