ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析, 要旨

ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析, 要旨

ゲート ゼツエンマクチュウ フッソ テンカ ニ ヨル a-InGaZnO ハクマク ソシ ニ オケル コウシンライ セイカ キコウ ノ カイセキ

山﨑はるか

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R012434

詳細情報

刊年

2016

別書名

Effects of Fluorine Addition in Gate Insulator Toward Highly-reliable Amorphous InGaZnO Thin Film Devises.

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

注記

学位記番号: 博第1348号

報告番号: 甲第1348号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1341016

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

山﨑, はるか (ヤマザキ, ハルカ)

件名

a-InGaZnO

フッ素添加

高信頼性化機構

ゲート絶縁膜