レーザーアニールによるシリコン・ゲルマニウム積層薄膜の同時結晶化に関する研究

レーザーアニールによるシリコン・ゲルマニウム積層薄膜の同時結晶化に関する研究

レーザー アニール ニ ヨル シリコン ゲルマニウム セキソウ ハクマク ノ ドウジ ケッショウカ ニ カンスル ケンキュウ

山崎浩司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

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巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R010656

詳細情報

刊年

2014

別書名

Simultaneous Crystallization of Double-Layered Silicon and Germanium Films Formed by Laser Annealing

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 博第1214号

報告番号: 甲第1214号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1141008

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

山崎, 浩司 (ヤマサキ, コウジ)

件名

同時結晶化

レーザーアニール

シリコン

ゲルマニウム