Development of the atomic and electronic structure analysis method for the hetero interface of semiconductor devices

Development of the atomic and electronic structure analysis method for the hetero interface of semiconductor devices

前島尚行

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

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巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R010653

詳細情報

刊年

2014

別書名

半導体デバイスヘテロ接合界面の原子構造・電子状態直接観察手法の開発

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 博第1211号

報告番号: 甲第1211号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 博士(理学)

学生番号: 1141005

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

前島, 尚行 (マエジマ, ナオユキ)

件名

photoelectron diffraction spectroscopy

semiconductor interface

atomic structure

electronic structure

Silicon Carbide

Aluminium Nitride