次世代ディスプレイ実現に向けた高移動度酸化物半導体材料の開発, 要旨

次世代ディスプレイ実現に向けた高移動度酸化物半導体材料の開発, 要旨

ジセダイ ディスプレイ ジツゲン ニ ムケタ コウイドウド サンカブツ ハンドウタイ ザイリョウ ノ カイハツ

笘井重和

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.12

学位論文

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巻号情報

要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R010592

詳細情報

刊年

2013

別書名

The development of the high-mobility oxide semiconductor materials for next-generation display

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年12月

注記

学位記番号: 博第1168号

報告番号: 甲第1168号

学位授与年月日: 2013/12/20

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1241202

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

笘井, 重和 (トマイ, シゲカズ)

件名

酸化物半導体

薄膜トランジスタ

スパッタリング

ホール効果

粒界散乱

活性化エネルギー