電流注入型GaAs (110) 面発光半導体レーザに向けた結晶成長とデバイス作製

電流注入型GaAs (110) 面発光半導体レーザに向けた結晶成長とデバイス作製

デンリュウ チュウニュウガタ GaAs(110) メンハッコウ ハンドウタイ レーザ ニ ムケタ ケッショウ セイチョウ ト デバイス サクセイ

安田千水

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009262

2

  • [MS]2012(14)

Restricted

Details

Publication year

2012

Alternative title

Crystal growth and fabrication of Electrically driven vertical-cavity surface-emitting lasers on GaAs(110)

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

Note

学位記番号: 修第5543号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031088

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

安田, 千水 (ヤスダ, センスイ)

Subject

GaAs(110)基板

分子線エピタキシー

面発光半導体レーザ

光機能素子

スピントロニクス

半導体量子井戸