シリコンカーバイド表面のぬれ性改質が半導体ヘテロ界面特性に及ぼす影響

シリコンカーバイド表面のぬれ性改質が半導体ヘテロ界面特性に及ぼす影響

シリコン カーバイド ヒョウメン ノ ヌレセイ カイシツ ガ ハンドウタイ ヘテロ カイメン トクセイ ニ オヨボス エイキョウ

鈴木啓之

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007701

2

  • [MS]2010(10)

Restricted

Details

Publication year

2010

Alternative title

Evaluation of silicon carbide hetero-interface properties by modification of surface wettability

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 修第4836号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831049

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

鈴木, 啓之 (スズキ, ヒロユキ)

Subject

SiC

ぬれ性

接触角

XPS

MOSキャパシタ

ショットキーバリアダイオード