ゴクウス トンネル サンカ マク オ ユウシタ ナノ ドット ウメコミ MOS デバイス ノ サクセイ ト デンカ ジュウホウデン トクセイ ヒョウカ
入船裕行
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R006882 |
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2 |
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Restricted |
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2009
Charging-discharging characteristics of nanodot embedded MOS devices using ultra-thin tunnel oxide
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月
学位記番号: 修第4454号
学位授与年月日: 2009/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0731009
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
入船, 裕行 (イリフネ, ヒロユキ)
