極薄ゲート絶縁膜Si電界効果トランジスタにおけるホットキャリア効果と界面物性

極薄ゲート絶縁膜Si電界効果トランジスタにおけるホットキャリア効果と界面物性

ゴクハク ゲート ゼツエンマク Si デンカイ コウカ ト トランジスタ ニ オケル ホット キャリア コウカ ト カイメン ブッセイ

本田博幸

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2004.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R003137

2

  • [MS]2004(17)

Restricted

Details

Publication year

2004

Alternative title

Hot carrier effect and electronic interface properties in Si MOSFET with ultra-thin gate oxide

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2004年3月

Note

学位記番号: 修第2789号

授与年月日: 2004/03/24

学生番号: 0331079

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

本田, 博幸 (ホンダ, ヒロユキ)

Subject

LSI

Hot carrier

Ultra-thin gate oxide

Photoemission

Substrate current