Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation, 要約

Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation, 要約

武田悠二郎

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.9

Thesis / Diss.

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要約
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Digest

R018568

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Publication year

2023

Alternative title

トップゲート型酸化物半導体薄膜トランジスタ開発及び光誘起信頼性劣化メカニズム分析

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2023年9月

Note

学位記番号: 博第2009号

報告番号: 甲第2009号

学位授与年月日: 2023/09/30

学位の種類: 博士（工学）

博士論文公表延期中のため、本文に代えて要約を公表中

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

武田, 悠二郎 (タケダ, ユウジロウ)

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