原子層堆積法を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製およびキャリア密度制御

原子層堆積法を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製およびキャリア密度制御

ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイタ サンカ インジウム ハクマク トランジスタ ノ サクセイ オヨビ キャリア ミツド セイギョ

川戸勇人

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R018302

Details

Publication year

2023

Alternative title

Carrier Control of In2O3 TFT Fabricated by Atomic Layer Deposition

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年3月

Note

学位記番号: 修第9320号

学位授与年月日: 2023/03/31

学位の種類: 修士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

川戸, 勇人 (カワト, ユウト)

Subject

酸化物半導体

薄膜トランジスタ