CO2 desorption reaction induced by hot carrier on Pd metal-oxide-semiconductor (MOS) surfaces

CO2 desorption reaction induced by hot carrier on Pd metal-oxide-semiconductor (MOS) surfaces

Yang Haobang

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2022.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R017933

Details

Publication year

2022

Alternative title

Pd-MOS表面におけるホットキャリアによるCO2脱離反応

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2022年3月

Note

学位記番号: 修第8982号

学位授与年月日: 2022/03/31

学位の種類: 修士(理学)

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

Yang, Haobang

Subject

desorption induced by electronic transition (DIET)

metal-oxide-semiconductor (MOS)

hot carriers

catalysis

chemical reactions

Si technology