Lin Tengda
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2020.3
Thesis / Diss.There are further volumes for this material.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R016307 |
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2020
SiO2/GaN MOS構造の信頼性に関する研究
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2020年3月
学位記番号: 博第1699号
報告番号: 甲第1699号
学位授与年月日: 2020/03/31
学位の種類: 博士(工学)
Japan
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