水素含有絶縁膜による低リーク電流ダイヤモンド半導体素子の研究

水素含有絶縁膜による低リーク電流ダイヤモンド半導体素子の研究

スイソ ガンユウ ゼツエンマク ニ ヨル テイリーク デンリュウ ダイヤモンド ハンドウタイ ソシ ノ ケンキュウ

宮越雄太

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R015661

2

  • [MS]2018(12)

Restricted

Details

Publication year

2019

Alternative title

Low leakage current diamond semiconductor devices with hydrogen-containing insulating film

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月

Note

学位記番号: 修第7967号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 修士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

宮越, 雄太 (ミヤゴシ, ユウタ)

Subject

ダイヤモンド

Al2O3

パワーデバイス

ALD

DMAH