• Top
  • Details (Local collection)
Low Temperature Annealing Techniques for Solution Processed Amorphous Oxide Semiconductor Thin-film Transistors

Low Temperature Annealing Techniques for Solution Processed Amorphous Oxide Semiconductor Thin-film Transistors

Michael Paul Aquisay Jallorina

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.6

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R015728

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R015734

Details

Publication year

2019

Alternative title

低温アニーリング技術による、溶液処理アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタ

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年6月

Note

学位記番号: 博第1626号

報告番号: 甲第1626号

学位授与年月日: 2019/06/30

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

Michael Paul Aquisay Jallorina

Subject

Amorphous Oxide Semiconductors

Low Temperature Annealing

Channel Activation

Thin-film Transistors

Wet Annealing

Metal Oxides