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溶液プロセスを用いたポリシロキサンパッシベーションによるa-InGaZnO薄膜トランジスタの信頼性向上とその機構に関する研究

溶液プロセスを用いたポリシロキサンパッシベーションによるa-InGaZnO薄膜トランジスタの信頼性向上とその機構に関する研究

ヨウエキ プロセス オ モチイタ ポリシロキサン パッシベーション ニ ヨル a - InGaZnO ハクマク トランジスタ ノ シンライセイ コウジョウ ト ソノ キコウ ニ カンスル ケンキュウ

吉田尚史

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R015279

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1

  • Abstract

R015309

Details

Publication year

2019

Alternative title

Poly-siloxane passivation for highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月

Note

学位記番号: 博第1617号

報告番号: 甲第1617号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

吉田, 尚史 (ヨシダ, ナオフミ)

Subject

Siloxane

Oxide TFT

Passivation

Photosensitive