SiO2 / GaN MOS キャパシタ ニ タイスル コウアツ スイジョウキ ショリ ノ ハンノウ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
安藤領汰
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R015590 |
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2 |
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Restricted |
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2019
Study on Reaction Mechanism of High Pressure Water Vapor Annealing for SiO2/GaN MOS Capacitor
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7892号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(工学)
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
安藤, 領汰 (アンドウ, リョウタ)
