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液体原料シリコン系薄膜のレーザーアニールによる形成と結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用

液体原料シリコン系薄膜のレーザーアニールによる形成と結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用

エキタイ ゲンリョウ シリコンケイ ハクマク ノ レーザー アニール ニ ヨル ケイセイ ト ケッショウ シリコン ハクマク トランジスタ エノ オウヨウ

菱谷大輔

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R013660

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R013720

Details

Publication year

2017

Alternative title

Formation of solution-derived Silicon Based Thin Film by Laser Annealing and Its Application to Crystalline Silicon Thin Film Transistors

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2017年3月

Note

学位記番号: 博第1445号

報告番号: 甲第1445号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1441014

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

菱谷, 大輔 (ヒシタニ, ダイスケ)

Subject

薄膜トランジスタ

レーザーアニール

結晶化

ゲート絶縁膜

シクロペンタシラン

ペルヒドロポリシラザン