ゲート デンアツ インカ ニ ヨル Si-MOS キンゾク ヒョウメン カラ ノ キュウチャクガス ノ ダツリ
川北修平
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R013527 |
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2 |
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2017
Molecule desorption induced by gate-voltage application in Si-MOS structure
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月
学位記番号: 修第7185号
学位授与年月日: 2017/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1531020
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
川北, 修平 (カワキタ, シュウヘイ)
