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ゲート電圧印加によるSi-MOS金属表面からの吸着ガスの脱離

ゲート電圧印加によるSi-MOS金属表面からの吸着ガスの脱離

ゲート デンアツ インカ ニ ヨル Si-MOS キンゾク ヒョウメン カラ ノ キュウチャクガス ノ ダツリ

川北修平

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R013527

2

  • [MS]2016(22)

Restricted

Details

Publication year

2017

Alternative title

Molecule desorption induced by gate-voltage application in Si-MOS structure

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

Note

学位記番号: 修第7185号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1531020

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

川北, 修平 (カワキタ, シュウヘイ)

Subject

Si-MOS