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ゲート電圧印加時におけるへき開Si(111)-MOS断面のSTM/STS測定

ゲート電圧印加時におけるへき開Si(111)-MOS断面のSTM/STS測定

ゲート デンアツ インカジ ニ オケル ヘキカイ Si(111)-MOS ダンメン ノ STM/STS ソクテイ

大畑慧訓

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R013519

2

  • [MS]2016(20)

Restricted

Details

Publication year

2017

Alternative title

STM/STS measurement of Si(111)-MOS cleavage surface during gate voltage application

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

Note

学位記番号: 修第7177号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1531012

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

大畑, 慧訓 (オオハタ, アキノリ)

Subject

STM

STS

gate voltage

Si(111)

cleavage surface