ゲート デンアツ インカジ ニ オケル ヘキカイ Si(111)-MOS ダンメン ノ STM/STS ソクテイ
大畑慧訓
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R013519 |
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2 |
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Restricted |
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2017
STM/STS measurement of Si(111)-MOS cleavage surface during gate voltage application
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月
学位記番号: 修第7177号
学位授与年月日: 2017/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1531012
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
大畑, 慧訓 (オオハタ, アキノリ)
