• Top
  • Details (Local collection)
次世代高機能集積回路の実現に向けたGaAs系MOSデバイスに関する研究

次世代高機能集積回路の実現に向けたGaAs系MOSデバイスに関する研究

ジセダイ コウキノウ シュウセキ カイロ ノ ジツゲン ニ ムケタ GaAsケイ Mos デバイス ニ カンスル ケンキュウ

青木健志

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.6

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R012817

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R012819

Details

Publication year

2016

Alternative title

GaAs-based Metal-Oxide-Semiconductor devices for next-generation high-performance integrated circuits

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年6月

Note

学位記番号: 博第1361号

報告番号: 甲第1361号

学位授与年月日: 2016/06/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1541001

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

青木, 健志 (アオキ, タケシ)

Subject

III-V

MOS

GaAs

MOCVD

ALD

界面準位