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Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors

Study of thallium-zinc-tin-oxide semiconductor toward high mobility, stable thin-film transistors

岸本克史

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R012400

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1

  • Abstract

R012439

Details

Publication year

2016

Alternative title

高移動度・安定な薄膜トランジスタに向けた酸化タリウム・亜鉛・錫半導体の研究

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

Note

学位記番号: 博第1353号

報告番号: 甲第1353号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1441006

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

岸本, 克史 (キシモト, カツシ)

Subject

Tl2O3

TlZnSnO

oxide semiconductor

mobility

thin-film transistor

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