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ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析

ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析

ゲート ゼツエンマクチュウ フッソ テンカ ニ ヨル a-InGaZnO ハクマク ソシ ニ オケル コウシンライ セイカ キコウ ノ カイセキ

山﨑はるか

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R012395

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1

  • Abstract

R012434

Details

Publication year

2016

Alternative title

Effects of Fluorine Addition in Gate Insulator Toward Highly-reliable Amorphous InGaZnO Thin Film Devises.

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

Note

学位記番号: 博第1348号

報告番号: 甲第1348号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1341016

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

山﨑, はるか (ヤマザキ, ハルカ)

Subject

a-InGaZnO

フッ素添加

高信頼性化機構

ゲート絶縁膜