ゲート ゼツエンマクチュウ フッソ テンカ ニ ヨル a-InGaZnO ハクマク ソシ ニ オケル コウシンライ セイカ キコウ ノ カイセキ
山﨑はるか
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3
Thesis / Diss.
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1 |
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R012395 |
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R012434 |
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2016
Effects of Fluorine Addition in Gate Insulator Toward Highly-reliable Amorphous InGaZnO Thin Film Devises.
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月
学位記番号: 博第1348号
報告番号: 甲第1348号
学位授与年月日: 2016/03/24
学位の種類: 博士(工学)
学生番号: 1341016
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
山﨑, はるか (ヤマザキ, ハルカ)
