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レーザーアニールによるシリコン・ゲルマニウム積層薄膜の同時結晶化に関する研究

レーザーアニールによるシリコン・ゲルマニウム積層薄膜の同時結晶化に関する研究

レーザー アニール ニ ヨル シリコン ゲルマニウム セキソウ ハクマク ノ ドウジ ケッショウカ ニ カンスル ケンキュウ

山崎浩司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010656

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1

  • Abstract

R010705

Details

Publication year

2014

Alternative title

Simultaneous Crystallization of Double-Layered Silicon and Germanium Films Formed by Laser Annealing

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2014年3月

Note

学位記番号: 博第1214号

報告番号: 甲第1214号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1141008

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

山崎, 浩司 (ヤマサキ, コウジ)

Subject

同時結晶化

レーザーアニール

シリコン

ゲルマニウム