• Top
  • Details (Local collection)
Development of the atomic and electronic structure analysis method for the hetero interface of semiconductor devices

Development of the atomic and electronic structure analysis method for the hetero interface of semiconductor devices

前島尚行

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010653

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R010702

Details

Publication year

2014

Alternative title

半導体デバイスヘテロ接合界面の原子構造・電子状態直接観察手法の開発

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2014年3月

Note

学位記番号: 博第1211号

報告番号: 甲第1211号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 博士(理学)

学生番号: 1141005

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

前島, 尚行 (マエジマ, ナオユキ)

Subject

photoelectron diffraction spectroscopy

semiconductor interface

atomic structure

electronic structure

Silicon Carbide

Aluminium Nitride