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次世代ディスプレイ実現に向けた高移動度酸化物半導体材料の開発

次世代ディスプレイ実現に向けた高移動度酸化物半導体材料の開発

ジセダイ ディスプレイ ジツゲン ニ ムケタ コウイドウド サンカブツ ハンドウタイ ザイリョウ ノ カイハツ

笘井重和

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.12

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010583

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R010592

Details

Publication year

2013

Alternative title

The development of the high-mobility oxide semiconductor materials for next-generation display

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年12月

Note

学位記番号: 博第1168号

報告番号: 甲第1168号

学位授与年月日: 2013/12/20

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1241202

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

笘井, 重和 (トマイ, シゲカズ)

Subject

酸化物半導体

薄膜トランジスタ

スパッタリング

ホール効果

粒界散乱

活性化エネルギー