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原子層堆積法による高機能酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの低温形成とその評価

原子層堆積法による高機能酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの低温形成とその評価

ゲンシソウ タイセキホウ ニ ヨル コウキノウ サンカブツ ハンドウタイ オ モチイタ ハクマク トランジスタ ノ テイオン ケイセイ ト ソノ ヒョウカ

川村悠実

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010030

2

  • [MS]2013

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R010077

Details

Publication year

2013

Alternative title

Low-Temperature Fabrication and Evaluation of Thin- Film Transistors with High-performance Oxide Semiconductor Prepared by Atomic Layer Deposition

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年3月

Note

学位記番号: 博第1135号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1041005

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

川村, 悠実 (カワムラ, ユミ)

Subject

薄膜トランジスタ

酸化亜鉛

原子層堆積法