GaN デンカイ コウカ トランジスタ ノ ゲート ゼツエンマク オウヨウ ニ ムケタ ゲンシソウ タイセキホウ ニ ヨル Al2O3 マク ノ ケイセイ ト ヒョウカ
吉嗣晃治
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
Thesis / Diss.
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1 |
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R009987 |
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2013
Atomic Layer Deposition of Al2O3 film and Its Characterization for Application to Gate Dielectric of GaN Field-Effect Transistors
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 修第5889号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1131100
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
吉嗣, 晃治 (ヨシツグ, コウジ)
