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Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process

Development of Laser Doping at Room Temperature for Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Process

平田憲司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009309

2

  • [MS]2012

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R009350

Details

Publication year

2012

Alternative title

結晶シリコン太陽電池作製プロセスに向けた室温レーザードーピングの開発

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2012年3月

Note

学位記番号: 博第1075号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0941016

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

平田, 憲司 (ヒラタ, ケンジ)

Subject

Crystalline Silicon Solar Cells

Laser Doping

Room Temparature

Fabrication Process

High Efficiency

Selective