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GaAs(110)量子井戸構造における電子スピン緩和と光デバイス応用に関する研究

GaAs(110)量子井戸構造における電子スピン緩和と光デバイス応用に関する研究

GaAs (110) リョウシ イド コウゾウ ニ オケル デンシ スピン カンワ ト ヒカリ デバイス オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ

揖場聡

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008580

2

  • [MS]2011

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R008625

Details

Publication year

2011

Alternative title

Electron spin relaxation in (110)-oriented GaAs quantum wells and applications to optical devices

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 博第1007号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841003

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

揖場, 聡 (イバ, サトシ)

Subject

GaAs(110)量子井戸

電子スピン緩和

円偏光

光デバイス

スピントロニクス

面発光半導体レーザ