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三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによるシリコン積層薄膜の同時結晶化技術に関する研究

三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによるシリコン積層薄膜の同時結晶化技術に関する研究

サンジゲン デバイス オウヨウ ニ ムケタ グリーン レーザー アニール ニヨル シリコン セキソウ ハクマク ノ ドウジ ケッショウカ ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ

山崎浩司

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008544

2

  • [MS]2011(19)

Restricted

Details

Publication year

2011

Alternative title

Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 修第5221号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931091

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

山崎, 浩司 (ヤマサキ, コウジ)

Subject

グリーンレーザーアニール

同時結晶化

大粒径化

積層構造

薄膜トランジスタ

薄膜フォトダイオード