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二次元光電子回折分光法による 6H-SiC(0001)上 酸窒化膜のサイト選択的電子状態解析

二次元光電子回折分光法による 6H-SiC(0001)上 酸窒化膜のサイト選択的電子状態解析

ニジゲン コウデンシ カイセツ ブンコウホウ ニヨル 6H-SiC (0001) ジョウ サンチッカマク ノ サイト センタクテキ デンシ ジョウタイ カイセキ

前島尚行

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008525

2

  • [MS]2011(15)

Restricted

Details

Publication year

2011

Alternative title

Site-specific electronic structure analysis of silicon oxynitride thin film on 6H-SiC(0001) by teo-dimensional photoelectron diffraction spectroscopy

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 修第5201号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 0931071

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

前島, 尚行 (マエジマ, ナオユキ)

Subject

光電子回折

回折分光

表面・界面電子状態

SiC