テイオン セイチョウ ニヨル GaAs (110) タジュウ リョウシ イドチュウ ノ キャリア ジュミョウ セイギョ
大西和樹
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3
Thesis / Diss.
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1 |
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R008474 |
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Restricted |
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2011
Control of carrier lifetime in GaAs (110) multiple quantum wells using low temperature growth
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月
学位記番号: 修第5145号
学位授与年月日: 2011/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0931014
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
大西, 和樹 (オオニシ, カズキ)
